4月8日武汉大学廖蕾教授学术报告通知

报告题目：研制基于纳米材料的高性能晶体管
报告人：廖蕾教授
主持人：陈军 教授
时间： 4月8日（星期一） 下午3:30~5:00
地点： 广东省显示材料与技术重点实验室讲学厅

报告人简介：
廖蕾教授2004年获武汉大学理学学士学位，2009年获武汉大学工学博士学位。2009年4月到2011年7月在美国加州大学洛杉矶分校从事博士后研究。2011年7月被聘为武汉大学教授。主要利用电子束光刻等微加工技术，开展一维半导体纳米结构和二维石墨烯等材料的高性能场效应晶体管，射频晶体管的研制。在Nature，Nature Nano，Nature Communication, Nano Letters，JACS，Advanced Materials等期刊发表论文多篇。


欢迎各位老师同学踊跃参加！

附：报告摘要和报告人简历


研制基于纳米材料的高性能晶体管

廖蕾
武汉大学物理学院

        众所周知，石墨烯是一种二维晶体，最大的特性是其中载流子的运动速度达到了光速的 1/300，远远超过了电子在一般导体中的运动速度。石墨烯的这些特性尤其适合于高频电路。
        使用物理转移的方法将介电纳米材料转移到单层石墨烯表面，获得电子迁移率20,000 cm2/Vs,顶栅石墨烯场效应晶体管。继而利用Co2Si/Al2O3纳米线作为栅极，通过自对准技术，利用纳米线做模板，获得导电通道达到140 nm的顶栅石墨烯晶体管，通过测量，该晶体管拥有300 GHz的工作截止频率。为了更细致的研究单沟道石墨烯晶体管物理性质，以GaN纳米线作为栅极，通过自对准技术，获得导电通道小于100 nm的顶栅石墨烯晶体管，系统讨论石墨烯晶体管可能达到的最高截止频率，以及电子在石墨烯里面运行的速度。
        另一个方面，利用溶胶凝胶法制备高性能非晶氧化铟锌/单壁碳纳米管复合薄膜。得到了高达140 cm2/V•s的场效应迁移率，开关比约为107的的薄膜晶体管。同时高机械性能的单壁碳纳米管使得复合薄膜的机械柔韧性也得到了大幅度的提升。另外通过调节薄膜的组分，控制薄膜晶体管的开启电压，保持器件迁移率在～130 cm2/Vs左右，沟道为5微米的器件，在工作电压1伏的情况下，延迟时间可以达到2.2纳秒。
        最后是研究了基于氧化物/纳米线复合薄膜晶体管的光电器件，获得了高透明度的多色可见探测器件阵列。