2013年11月22日学术报告-张鼎张教授

学术报告：非晶硅与InGaZnO 薄膜晶体管显示屏
报告人：台湾中山大学物理学系张鼎张教授
报告时间：11月22日下午15：00
地点：广东省显示材料与技术重点实验室

报告内容摘要：
非晶硅(a-Si) 薄膜晶体管具有很高的制程良率以及较低的制作成本，且非晶态其有较好的均匀度可大面积化，因此非晶硅为目前平面显示器产业界中最广为应用的薄膜晶体管主动层材料，但是以非晶硅为薄膜晶体管的面板在实际操作下，容易遇到有亮度不均的现象，使得液晶面板的特性表现不佳，也就是mura的现象，对此报告人研究团队主要分析非晶硅薄膜晶体管于高电压操作的不稳定性及器件劣化的物理机制，找出面板产生mura的原因，并提出解决mura的方法。另一方面，金属氧化物半导体(InGaZnO)为目前最具发展潜力的薄膜晶体管主动层材料，兼具非晶硅(a-Si)材料的高均匀性以及低温多晶硅(poly-Si)材料的高载流子迁移率之优点，并拥有低温成长以及高可見光穿透率等物理特性，因此受到重视。对此报告人研究团队研究范畴内容包含：(Ⅰ) 金属氧化物薄膜晶体管之组件制作，(Ⅱ)金属氧化物薄膜晶体管其不稳定性及劣化之物理机制探讨，(Ⅲ) 金属氧化物薄膜晶体管之改善方式与可靠度研究。藉由组件物理机制的厘清，研发前瞻氧化物薄膜晶体管组件，解决可靠度的问题，将氧化物薄膜晶体管组件应用在平面显示器上。