张志鹏

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副教授

电子与信息工程学院副教授，研究生导师。2019年获中山大学工学博士学位，并于2019年10月入职中山大学电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室、显示材料与技术广东省重点实验室。面向医疗成像等装备应用，主要从事平板X射线源器件、光电探测与成像器件、成像系统装备和成像方法、光电材料制备与器件集成、真空微纳电子学、平板显示器件等研究，主持国家自然科学基金面上项目和青年科学基金等项目。

联系方式：
邮件：[email protected]
电话：020-84110916

办公地点：东校园-微电子大楼2楼213G室

实验室地点：光电材料与技术国家重点实验室2楼

研究团队： 
光电材料与技术国家重点实验室——“微纳结构电子光子与器件”团队（学术带头人： 许宁生 院士、邓少芝 教授、陈军 教授等）

 

学术兼职和社会服务

多个SCI期刊审稿人

教育经历

  • 2010年9月-2014年6月，  中山大学   微电子学    工学学士
  • 2014年9月-2019年6月，  中山大学   微电子学与固体电子学  工学博士

授课课程

本科：电路理论基础

研究生：高级半导体物理

研究方向

  • 光电探测与成像器件研究 （X射线、紫外、可见光，应用于医疗成像等）
  • CT成像装备关键技术研究（平板X射线源、平板X射线探测器、CT成像系统和成像方法等，涉及微电子集成技术与医疗装备技术）
  • 微纳结构电子光子与器件研究 （薄膜晶体管、冷阴极电子源、光电倍增器件、平板显示器件、光电转换机制等）
  • 光电材料制备、集成与特性研究 （纳米线、薄膜和晶体，包括ZnO和Ga2O3等宽禁带半导体、HgI2和CdTe等辐射探测用半导体、a-Si和IGZO等薄膜材料）

本团队拥有完善的材料和器件制备平台，包括数间洁净实验室，拥有磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发、PECVD、RIE、光刻、高温炉、封装设备等现代微加工设备，拥有TEM、SEM、XPS、UPS、PL、XRD、拉曼光谱、光度计、真空场发射测试系统、原位电学和光学测量、光电探测和成像测试系统等表征测试手段，主要分为微电子器件研究和器件物理基础研究。毕业就业方向涉及芯片、半导体、电子硬件、信息处理、电路、平板显示、材料、成像系统和算法、精密设备和医疗装备等研发，欢迎本科生和研究生联系了解。

招生方向

招收研究生（2024入学已没有名额，2025年入学还有1个名额），电子科学与技术、微电子与固体电子学、电路与系统、集成电路工程、电子信息。

科研项目

  • 高性能耐恶劣环境的日盲紫外成像器件研究，国家自然科学基金-面上项目，53万，2023年1月—2026年12月，主持，在研；
  • 氧化镓薄膜光电导冷阴极平板X射线探测器件及其物理机制研究，国家自然科学基金-青年科学基金，24万，2021年01月—2023年12月，主持，在研；
  • ZnO纳米线冷阴极真空X射线成像器件研究，广东省自然科学基金面上项目，15万，2024年01月—2026年12月，主持，在研；
  • 冷阴极X射线探测器的光电倍增机制研究，广州市科技计划项目，5万，2023年04月—2025年03月，主持，在研；
  • 光电导型冷阴极平板X射线探测器件研究，高校基本科研业务费-中山大学青年教师培育项目，20万，2020年1月—2022年12月，主持，已结题；
  • 平板X 射线源与探测器及视频适形CT 成像关键技术研究，国家重点研发计划，2400万，2023年01月—2027年12月，参与，在研；
  • 高效日盲紫外探测材料及面阵器件研制，广东省重点研发计划，1200万，2024年01月—2026年12月，参与，在研；
  • 新型纳米冷阴极平板X射线源和高灵敏度探测器件及其CT图像重建方法研究，国家重点研发计划，2500万，2016年07月—2021年06月，参与，已结题；

代表性科研成果

【部分发表论文】

  1. Zhipeng Zhang, Manni Chen, Runze Zhan, Huanjun Chen, Kai Wang, Shaozhi Deng, Jun Chen*. Fabrication of Nanocrystalline Ga2O3-NiO Heterojunctions for Large-Area Low-Dose X-ray Imaging. Applied Surface Science, 604, 154623 (2022).
  2. Zhipeng Zhang, Manni Chen, Chengyun Wang, Kai Wang, Shaozhi Deng, Jun Chen*. Highly Sensitive Direct-Conversion Vacuum Flat-Panel X-Ray Detectors Formed by Ga2O3-ZnO Heterojunction Cold Cathode and ZnS Target and their Photoelectron Multiplication Mechanism. Advanced Materials Interfaces, 9, 2102268 (2022).
  3. Zhipeng Zhang, Manni Chen, Xinpeng Bai, Kai Wang, Huanjun Chen, Shaozhi Deng, Jun Chen*. Sensitive Direct-Conversion X-ray Detectors Formed by ZnO Nanowire Field Emitters and β-Ga2O3 Photoconductor Targets With an Electron Bombardment Induced Photoconductivity Mechanism. Photonics Research, 9, 2420-2428 (2021).
  4. Zhipeng Zhang, Zimin Chen, Manni Chen, Kai Wang, Huanjun Chen, Shaozhi Deng, Gang Wang*, Jun Chen*. ε-Ga2O3 Thin Film Avalanche Low-Energy X-Ray Detectors for Highly Sensitive Detection and Fast-Response Applications. Advanced Materials Technologies, 6, 2001094 (2021).
  5. Zhipeng Zhang, Zhaojun Zhang, Wei Zheng, Kai Wang, Huanjun Chen, Shaozhi Deng, Feng Huang*, Jun Chen*. Sensitive and Fast Direct Conversion X-Ray Detectors Based on Single-Crystalline HgI2 Photoconductor and ZnO Nanowire Vacuum Diode. Advanced Materials Technologies, 5, 1901108 (2020).
  6. Zhipeng Zhang, Kai Wang*, Keshuang Zheng, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Electron Bombardment Induced Photoconductivity and High Gain in a Flat Panel Photodetector Based on a ZnS Photoconductor and ZnO Nanowire Field Emitters. ACS Photonics, 5, 4147−4155 (2018).
  7. Zhipeng Zhang, Kai Wang*, Keshuang Zheng, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. A Flat Panel Photodetector Formed by a ZnS Photoconductor and ZnO Nanowire Field Emitters Achieving High Responsivity From Ultraviolet to Visible Light for Indirect-Conversion X-Ray Imaging. Journal of Lightwave Technology, 36, 5010−5015 (2018).
  8. Zhipeng Zhang, Daokun Chen, Wenqing Chen, Yicong Chen, Xiaomeng Song, Runze Zhan, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Thermo-Enhanced Field Emission From ZnO Nanowires: Role of Defects and Application in a Diode Flat Panel X-ray Source. Applied Surface Science, 399, 337-345 (2017).
  9. Zhipeng Zhang, Xiaomeng Song, Yicong Chen,  Juncong She, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Controllable Preparation of 1-D and Dendritic ZnO Nanowires and Their Large Area Field-Emission Properties. Journal of Alloys and Compounds, 690, 304-314 (2017).
  10. Manni Chen, Zhipeng Zhang, Zesheng Lv, Runze Zhan, Huanjun Chen, Hao Jiang*, Jun Chen*. Polycrystalline Ga2O3 Nanostructure-Based Thin Films for Fast-Response Solar-Blind Photodetectors. ACS Applied Nano Materials, 5, 351-360 (2022).
  11. Manni Chen, Zhipeng Zhang, Runze Zhan, Juncong She, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Fast-Response X-ray Detector Based on Nanocrystalline Ga2O3 Thin Film Prepared at Room Temperature. Applied Surface Science, 554, 149619 (2021).
  12. Xinpeng Bai, Zhipeng Zhang, Manni Chen, Kai Wang, Juncong She, Shaozhi Deng, Jun Chen*. Theoretical Analysis and Verification of Electron-Bombardment-Induced Photoconductivity in Vacuum Flat-Panel Detectors. Journal of Lightwave Technology, 39, 2618-2624 (2021).
  13. Keshuang Zheng, Zhipeng Zhang, Ximiao Wang, Runze Zhan, Huanjun Chen, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Mechanism of Photoluminescence Quenching in Visible and Ultraviolet Emissions of ZnO Nanowires Decorated With Gold Nanoparticles. Japanese Journal of Applied Physics, 58, 051005 (2019).
  14. Yicong Chen, Zhipeng Zhang, Zhibing Li, Juncong She, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Investigation of the Temperature Dependent Field Emission from Individual ZnO Nanowires for Evidence of Field-induced Hot Electrons Emission. Journal of Physics: Condensed Matter, 30, 315002 (2018).
  15. Yufeng Li, Zhipeng Zhang, Guofu Zhang, Long Zhao, Shaozhi Deng, Ningsheng Xu, Jun Chen*. Optimizing the Field Emission Properties of ZnO Nanowire Arrays by Precisely Tuning the Population Density and Application in Large-Area Gated Field Emitter Arrays. ACS Applied Materials & Interfaces, 9, 3911-3921 (2017).

【部分发明专利】

  1. 陈军，张志鹏，邓少芝，许宁生，一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，中国发明专利，专利号：ZL202110729927.9，申请日期：2021年6月29日，授权日期：2022年4月5日，中山大学。
  2. 陈军，张志鹏，邓少芝，许宁生，佘峻聪，一种高灵敏度的X射线探测器，中国发明专利，专利号：ZL201911337690.9，申请日期：2019年12月23日，授权日期：2021年11月23日，中山大学。
  3. 陈军，张志鹏，王凯，邓少芝，许宁生，一种在闪烁体上直接制作冷阴极平板X射线探测器的方法及其结构，中国发明专利，专利号：ZL201810973697.9，申请日期：2018年8月24日，授权日期：2021年5月4日，中山大学。
  4. 陈军，张志鹏，邓少芝，许宁生，一种纳米线冷阴极平板光探测器，中国发明专利，申请号：01710514493.4，公布号：CN107248493A，申请日：2017 年6月29 日。
  5. 陈军、张志鹏、邓少芝、许宁生，一种可调控结构形貌的氧化锌纳米结构制备方法，中国发明专利，专利号：ZL201510489924.7，申请日期：2015年8月11日，授权日期：2017年9月26日，中山大学。
  6. 陈军、陈道坤、张志鹏、邓少芝、许宁生、佘峻聪，采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源及制备方法，中国发明专利，专利号：ZL201610824446.5，申请日期：2016年9月14日，授权日期：2019年5月3日，中山大学。