广东省第三代半导体GaN 电力电子材料与器件工程技术研究中心

一、平台基本情况
　　1. 批准立项年份：2014年
　　2. 平台负责人：刘扬教授
　　3. 平台联系人： 卢颖，联系方式：020-39943836

二、平台概述
　　本工程中心总体定位是以实现技术高度前瞻性与实际创新工程应用结合为目的，以缩短产业化进程为目标，通过整合产业链条以构建工程技术研发平台。“中心”从事第三代半导体GaN电力电子材料与器件产业技术研究与开发， 基于对GaN电力电子材料与器件的关键基础科学问题和技术问题的解决，通过链接上下游传统龙头技术企业的产业平台，固化器件产业发展过程中重要技术，推动GaN电力电子器件的产业化进程。同时针对新型器件应用推广的“最后一公里”的关键难点，中心同时建立了系统应用端产业平台，将器件产业化成果持续的向下游应用企业辐射，并且将工程化过程中产生的新的技术问题，迭代到新一轮的材料与器件技术开发循环中去。发挥中心的“桥梁”作用，跨越式地缩短器件开发到市场应用的推广进程。 

三、平台研究方向
　　1. GaN基本功率电子材料外延技术研究
　　2. GaN基功率电子器件结构设计及器件物理研究         
　　3. GaN基功率电子器件应用及评价表征研究
　　4. GaN基功率电子器件的可靠性技术研究

四、研究水平与贡献
　　本中心基于对GaN基功率电子材料与器件的长期探索与研究，掌握了Si衬底GaN功率电子材料与器件的关键技术，提出基于碳掺杂的Si硅衬底高耐压 GaN 外延晶格应力调控方法和基于二次外延工艺的界面缺陷及电导调控方法，曾在国内率先实现高耐压4英寸硅衬底GaN晶圆外延生长，并以专利作价入股的方式完成产业化转移，在产业平台成功实现6英寸、8英寸Si衬底高耐压高电导GaN功率电子材料晶圆及650V耐压等级的GaN功率电子器件的自主制造，并为行业培养了大批优秀的产业人才，带动引领产业链条的协同发展，助力双碳目标的实现。