王冰

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副教授

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通讯地址：中山大学东校区纳米楼214室

联系方式：中山大学东校区纳米楼214室，邮箱：[email protected]

工作经历

2018.10 —，中山大学“百人计划”副教授，电子与信息工程学院

2012.07-2018.10，新加坡，Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART)，博士后、高级博士后、研究科学家(Research Scientist)

学术兼职和社会服务

国际光学工程学会SPIE会员，学术期刊Optics Letters, Optical Materials Express, Applied Optics等审稿人。

教育经历

2009.09 – 2012. 07，北京大学，信息科学技术学院，通信与信息系统，博士。

2008.09 – 2009.09，麻省理工学院，材料科学与工程系，访问博士生；

2007.09 – 2008. 09，华中科技大学，光学工程，博士研究生；

2005.09 – 2007.06，华中科技大学，光电子工程系光学工程，硕士；

2001.09 – 2005.06，郑州大学，电子科学与技术，学士。

授课课程

本科生课程：

《大学物理(理)》，《光电器件集成技术实验》；

研究生课程：

《先进光电子集成技术》。

研究方向

      本人长期从事硅基集成光源和集成光子学研究，目前有以下主要研究方向：

  1. 三五族半导体的异质外延及其与硅光子和CMOS的混合集成：光电子技术发展的重要方向是将不同材料体系、不同功能的器件等在同一个基底上集成起来，以实现更高密度的集成、更丰富多样的功能、更智能灵活的系统。由于实现不同的光电功能需要使用不同的材料，就这为光电子集成带来了一个根本的挑战：材料与功能体系的兼容性。因此，当前与未来的研究重点是将不同体系的半导体材料、器件、子系统等通过多样的方法集成在一起，并尽可能充分利用高度成熟先进的硅CMOS加工制造工艺，以获得高性能、低成本的集成光电子芯片与系统。
  2. 硅基光源材料与器件，包括但不限于：硅基异质外延生长三五族半导体，掺铒发光材料与器件等。硅光技术在近二十年来获得了极大的进步，是先进光电子技术有代表性的发展方向，但硅基光源是困扰硅光技术的一个关键问题。我们主要研究两个方向：在硅衬底上异质外延生长三五组直接带隙半导体材料，以利用其优良的发光性能为硅光芯片提供光源；稀土元素如铒、镱等是激光器、光放大器所常用的发光中心，将其掺入与硅兼容的材料中，也能为硅光芯片提供光源。

       硕士、博士研究生招生方向：光学工程。欢迎具有光电、光通信、材料、物理等专业背景的同学咨询报考！

科研项目 

  1. 国家重点研发计划项目“III-V族光子集成关键工艺及通用集成技术开发”，课题“III-V 族光芯片平台验证和PDK 开发”，2022.10～2025.11，中山大学任务负责人；
  2. 高校基本科研业务费，青年教师团队项目，“多材料宽光谱多功能硅基混合集成光电芯片关键技术研究”，2022.01～2022.12，课题负责人；
  3. 国家重点研发计划项目“宽带微波光子信号调控核心器件与技术”，课题“面向波形产生与射频接收前端的光子定义芯片研究”，2020.01～2022. 12，中山大学任务负责人。

代表性科研成果

  1. Panpan Xiao, Bing Wang*, “Design of an erbium-doped Al2O3 optical waveguide amplifier with on-chip integrated laser pumping source”, Optics Communications, 508, 127709 (2022). 
  2. Peiqi Zhou, Bo Wang, Xingjun Wang, Bing Wang, Yandong He, and John Bowers, “Design of an on-chip electrically driven, position-adapted, fully integrated erbium-based waveguide amplifier for silicon photonics, OSA Continuum, 4(3), 790-814 (2021).
  3. Shuyu Bao, Yue Wang, Khaw Lina, Li Zhang, Bing Wang, Wardhana Aji Sasangka, Kenneth Eng Kian Lee, Soo Jin Chua, Jurgen Michel, Eugene Fitzgerald, Chuan Seng Tan, and Kwang Hong Lee, "A review of silicon-based wafer bonding processes, an approach to realize the monolithic integration of Si-CMOS and III-V-on-Si wafers", Journal of Semiconductors, 42，023106 (2021).
  4. Bing Wang, Govnido Joannesha Syaranamual, Kwang Hong Lee, Shuyu Bao, Yue Wang, Kenneth Eng Kian Lee, Eugene A. Fitzgerald, Stephen J. Pennycook, Silvija Gradecak, and Jurgen Michel, "Effectiveness of InGaAs/GaAs superlattice dislocation filter layers epitaxially grown on 200 mm Si wafers with and without Ge buffers", Semiconductor Science and Technology, 35, 095036 (2020).
  5. Yue Wang, Bing Wang, Wardhana Aji Sasangka, Shuyu Bao, Yiping Zhang, Hilmi Demir, Jurgen Michel, Kenneth Lee, Soon Fatt Yoon, Eugene A. Fitzgerald, Chuan Seng Tan, and Kwang Hong Lee, “High performance AlGaInP light-emitting diodes integrated on Silicon through superior quality germanium-on-insulator (GOI)”, Photonics Research, 6, 290-295 (2018).
  6. Kwang Hong Lee, Yue Wang, Bing Wang, Li Zhang, Wardhana Aji Sasangka, Shuh Chin Goh, Shuyu Bao, Kenneth E. Lee, Eugene A. Fitzgerald, Chuan Seng Tan, “Monolithic integration of Si-CMOS and III-V-on-Si through direct wafer bonding process”, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 6, 571-578, 2018.
  7. Bing Wang, Shuyu Bao, Riko I Made, Kwang Hong Lee, Cong Wang, Kenneth Eng Kian Lee, Eugene A. Fitzgerald, and Jurgen Michel, “Control wafer bow of InGaP on 200 mm Si by strain engineering”, Semiconductor Science and Technology,32, 125013 (2017).
  8. Cong Wang, Bing Wang, Riko I. Made, Soon-Fatt Yoon, and Jurgen Michel, “Direct bandgap photoluminescence from n-type indirect GaInP alloys”, Photonics Research, 5, 239-244 (2017).
  9. Tae Wan Kim, Bing Wang, Cong Wang, David A. Kohen, Jeong Woo Hwang, Jae Cheol Shin, Sang-Woo Kang, and Jurgen Michel, “Metalorganic chemical vapor deposition-regrown Ga-rich InGaP films on SiGe virtual substrates for Si-based III-V optoelectronic device applications”, Journal of Vacuum Science & Technology A 35(3), 031507-1-5, (2017). 
  10. Bing Wang, Cong Wang, David A. Kohen, Riko I. Made, Kenneth Eng Kian Lee, Taewan Kim, Tim Milakovich, Eugene A. Fitzgerald, Soon Fatt Yoon, and Jurgen Michel, “Direct MOCVD epitaxy of GaAsP on SiGe virtual substrate without growth of SiGe”, Journal of Crystal Growth, 441, 78-83 (2016).
  11. Cong Wang, Bing Wang, Kwang Hong Lee, Chuan Seng Tan, Soon Fatt Yoon, and Jurgen Michel, “Epitaxy and characterization of GaInP/AlInP light-emitting diodes on As-doped Ge/Si substrates”, Optics Express, 24, 23129 (2016).
  12. Wenjia Zhang, Bing Wang, Zhaomin Zhu, Kenneth Eng Kian Lee, Jurgen Michel, Li-Shuian Peh, Li Zhang, and Chua Soo-Jin, “Ultrolow-power LED-enabled on-chip optical communication designed in the III-Nitride and Si-CMOS process integrated platform”, IEEE Design&Test, vol. 31, issue 5, 36-45, (2014).
  13. Bing Wang, Ruimin Guo, Xingjun Wang, Lei Wang, Bing Yin, and Zhiping Zhou, “Large electroluminescence excitation cross section and strong potential gain of Erbium in ErYb silicate”, Journal of Applied Physics, 113, 103108 (2013).
  14. Bing Wang, Xingjun Wang, Michiel J. A. de Dood, Ruimin Guo, Lei Wang, Michiel Vanhoutte, Jurgen Michel, Lionel C. Kimerling, and Zhiping Zhou, “Photoluminescence quantum efficiency and energy transfer of ErRE silicate (RE=Y, Yb) thin films”, Journal of Physcis D: Applied Physics, 45, 165101 (2012).
  15. B. Wang,R. M. Guo, X. J. Wang, L. Wang, L. Y. Hong, B. Yin, L. F. Gao, and Z. Zhou, “Near-infrared electroluminescence in ErYb silicate based light-emitting device”, Optical Materials, 34, 1371-1374 (2012)
  16. B. Wang, R. M. Guo, X. J. Wang, L. Wang, and Z. Zhou, “Composition dependence of the Yb-participated strong up-conversions in polycrystalline ErYb silicate”, Optical Materials, 34, 1289-1293, (2012).